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日美公司制成世界最小静态随机存取存储器元件

http://www.jrj.com    2008年12月17日 22:52     新华网
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  新华网东京12月17日电(记者 钱铮)日本东芝公司、美国IBM和AMD公司17日联合发表新闻公报说,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。

  公报说,以往使用平面晶体管制造SRAM元件时,半导体厂家通常依靠向元件内注入大量混合物来调节晶体管的特性,从而缩小晶体管的体积。但是,这样的调节方法容易造成晶体管特性参差不齐,从而导致SRAM元件稳定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鳍式场效晶体管,被业界认为可以替代以往的平面晶体管,从而既抑制晶体管特性的参差不齐,又可实现SRAM元件的小型化。

  公报说,研究人员依靠新技术,用极其微小的非平面晶体管——鳍式场效晶体管制造出了SRAM元件。此前,世界上最小的SRAM元件的面积为0.274平方微米,新研制出的SRAM元件的面积比前者缩小了超过50%。

  SRAM是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路就能保持它内部存储的数据不消失,因而具有更高的性能。把SRAM元件做得更小,芯片面积也能随之缩小,就有可能制作出更高速且更省电的处理器。

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存储器 

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